![BYV26E-TAP VISHAY - Diodă: redresoare | THT; 1kV; 1A; Ammo Pack; Ifsm: 30A; SOD57; 75ns; BYV26E | TME - Componente electronice (WFS) BYV26E-TAP VISHAY - Diodă: redresoare | THT; 1kV; 1A; Ammo Pack; Ifsm: 30A; SOD57; 75ns; BYV26E | TME - Componente electronice (WFS)](https://ce8dc832c.cloudimg.io/v7/_cdn_/3C/3E/00/00/0/58307_1.jpg?width=640&height=480&wat=1&wat_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&wat_scale=100p&ci_sign=ee3030c8f626d86251541030d1e0d6678694ce14)
BYV26E-TAP VISHAY - Diodă: redresoare | THT; 1kV; 1A; Ammo Pack; Ifsm: 30A; SOD57; 75ns; BYV26E | TME - Componente electronice (WFS)
![Tipurile de străpungere ale joncţiunii p-n. Caracteristica I-V pentru... | Download Scientific Diagram Tipurile de străpungere ale joncţiunii p-n. Caracteristica I-V pentru... | Download Scientific Diagram](https://www.researchgate.net/profile/Marius-Birlea/publication/321586737/figure/fig70/AS:568545647443971@1512563253453/Figura-1-Tipurile-de-strapungere-ale-jonctiunii-p-n-Caracteristica-I-V-pentru-cele-trei.png)
Tipurile de străpungere ale joncţiunii p-n. Caracteristica I-V pentru... | Download Scientific Diagram
1 Dioda I. No iuni introductive Dioda semiconductoare este cel mai simplu dispozitiv semiconductor. În prezent, pentru construc
![ZB25A 1200V HUAJING - Diodă: redresoare | 1,2kV; 1,3V; 25A; plot de anod; DO5; M5; cu şurub; ZB25A12V-HUA | TME - Componente electronice ZB25A 1200V HUAJING - Diodă: redresoare | 1,2kV; 1,3V; 25A; plot de anod; DO5; M5; cu şurub; ZB25A12V-HUA | TME - Componente electronice](https://ce8dc832c.cloudimg.io/v7/_cdn_/BB/A1/C0/00/0/793275_1.jpg?width=640&height=480&wat=1&wat_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&wat_scale=100p&ci_sign=059e78a81266559fb9651b9a452749395a097cc3)